Depletion-Transistor

Depletion-Transistor
Depletion-Transistor
 
[dɪ'plɪːʃn-; englisch »Verarmung«], Depletion-MISFET, ein Feldeffekttransistor (MISFET) vom Verarmungstyp, in dem sich bei Anlegen einer geeigneten Source-Drain-Spannung ein leitender n- oder p-Kanal zwischen Source und Drain ausbildet, dessen Leitfähigkeit im Falle eines n-Kanal-FET durch eine negative, bei einem p-Kanal-FET durch eine positive Gatespannung (gegenüber Source) herabgesetzt wird; bei einer bestimmten Größe der Gatespannung (»Abschnürspannung«) existiert der leitfähige Kanal nicht mehr. Gegensatz: Enhancement-Transistorisch

Universal-Lexikon. 2012.

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